인텔은 차별화된 패키징 기술 분야의 세계적인 리더입니다1
인텔 파운드리는 다양한 구성을 제공합니다. 인텔 파운드리 고급 시스템 조립 및 테스트(인텔 파운드리 ASAT) 또는 아웃소싱 반도체 조립 및 테스트 (OSAT) 를 사용하여 칩을 제작할 수 있습니다. 그런 다음 UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express) 와 같은 업계 표준을 주도하는 데 도움이 되는 최적화된 상호 연결로 연결됩니다.
HPE는 프론트엔드 및 백엔드 기술을 결합하여 시스템 수준에서 최적화된 솔루션을 만들 수 있도록 지원합니다. 또한, 당사는 견고하고 지리적으로 다양하며 대량 생산 현장을 통해 타의 추종을 불허하는 규모와 깊이의 조립 및 테스트 기능을 제공합니다.
플립 칩 볼 그리드 어레이 2D
단일 다이 또는 다중 칩 패키지 (MCP) 를 갖춘 복잡한 FCBGA/LGA의 세계적인 선도업체입니다.
기판에 대한 직접 공급망 참여 및 기판 기술을 최적화하기 위한 사내 연구 개발 (R&D).
수율 향상 및 변형 감소를 가능하게 하는 첨단 TCB (Thermal Compression Bonding) 공구의 가장 큰 기반 중 하나입니다.
입증된 생산: 2016년 이후 대량 생산 (HVM).
임베디드 멀티 다이 인터커넥트 브리지 2.5D
여러 복잡한 다이를 연결하는 효율적이고 비용 효율적인 방법입니다.
로직 로직 및 로직 고대역폭 메모리 (HBM) 를 위한 2.5D 패키징.
해안선과 해안선 간 연결을 위해 패키지 기판에 내장된 실리콘 브리지.
확장 가능한 아키텍처.
공급망 및 조립 프로세스 간소화.
검증된 생산: 2017 년부터 인텔과 외부 실리콘을 사용하여 대량 생산되고 있습니다.
Foveros (2.5D 및 3D)
업계 최초의 3D 적층 솔루션.
비용/성능에 최적화된 차세대 패키지입니다.
클라이언트 및 에지 응용 프로그램에 적용할 수 있습니다.
여러 개의 탑 다이 칩렛이 있는 솔루션에 이상적입니다.
생산 입증: 2019 년부터 활성 베이스 다이로 대량 생산 중입니다.
Foveros Direct 3D
- 우수한 비트당 전력 성능을 위해 액티브 베이스 다이에 칩렛을 3D 적층합니다.
- Cu-to-Cu 하이브리드 접합 인터페이스 (HBI).
- 초고대역폭 및 저전력 상호 연결.
- 고밀도 및 저저항 Die-to-die 상호 연결.
- 클라이언트 및 데이터 센터 응용 프로그램에 적용할 수 있습니다.
- EMIB 3.5D 솔루션에서 지원되는 Foveros Direct 스택.
하나의 패키지에 멀티다이 인터커넥트 브리지 및 Foveros 기술이 내장되어 있습니다
다양한 다이를 사용하는 유연한 이기종 시스템을 가능하게 합니다.
여러 3D 스택을 하나의 패키지로 결합해야 하는 응용 분야에 적합합니다.
인텔® Data Center GPU Max Series SoC: EMIB 3.5D 를 사용하여 1,000 억 개 이상의 트랜지스터, 47 개의 활성 타일, 5 개의 프로세스 노드로 대량 생산된 인텔의 가장 복잡한 이기종 칩을 만듭니다.
EMIB를 위한 에코시스템 준비
주요 에코시스템 파트너는 인텔 파운드리의 EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge) 기술에 대한 참조 흐름의 가용성을 발표합니다.
함께 미래를 만들어 갑시다
Intel Foundry 포털
제품 및 성능 정보
인텔 내부 분석 기준(2023년).
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