인텔 18A 차별화

• 인텔 3 프로세스 노드 대비 최대 15% 향상된 와트당 성능 및 30% 향상된 칩 밀도.¹
• 북미에서 제조된 최초의 2nm 미만 고급 노드로, 고객에게 탄력적인 공급 대안을 제공합니다.
• 업계 최초의 PowerVia 후면 전력 공급 기술로 밀도 및 셀 활용도를 5-10% 개선하고 저항 전력 공급 강하를 줄여 최대 4% ISO 전력 성능을 개선하고 전면 전력 설계에 비해 고유 저항(IR) 강하를 크게 줄였습니다.²
• RibbonFET GAA(gate-all-around) 트랜지스터 기술로 전류를 정밀하게 제어할 수 있습니다. RibbonFET은 칩 구성 요소를 더욱 소형화하는 동시에 전력 누설을 줄일 수 있으며, 이는 점점 더 조밀해지는 칩의 중요한 관심사입니다.
• HD MIM 커패시터는 유도 전력 강하를 크게 줄여 안정적인 칩 작동을 향상시킵니다. 이 기능은 갑작스럽고 강력한 컴퓨팅 성능을 필요로 하는 생성형 AI와 같은 최신 워크로드에 매우 중요합니다.
• 업계 표준 EDA 도구 및 참조 흐름을 완벽하게 지원하므로 다른 기술 노드에서 원활하게 전환할 수 있습니다. 참조 흐름을 제공하는 EDA 파트너를 통해 고객은 다른 후면 전력 솔루션보다 먼저 PowerVia로 설계를 시작할 수 있습니다.
• EDA, IP, 설계 서비스, 클라우드 서비스, 항공우주 및 방위 산업 전반에 걸쳐 업계를 선도하는 35개 이상의 에코시스템 파트너로 구성된 강력한 집합체로, 광범위한 고객 지원을 보장하여 채택을 더욱 용이하게 합니다.

파워비아

트랜지스터 밀도가 증가함에 따라 혼합 신호 및 전력 라우팅은 성능을 저하시킬 수 있는 혼잡을 생성합니다. 인텔 파운드리의 업계 최초 PowerVia 기술은 코스 피치 금속과 범프를 다이 후면으로 재배치하고 효율적인 전력 분배를 위해 모든 표준 셀에 나노 규모의 실리콘 관통 바이어스(nano-TSV)를 내장합니다.

PowerVia는 표준 셀 활용도를 5-10%, ISO 전력 성능을 최대 4% 향상시킵니다.²

리본펫

RibbonFET은 트랜지스터 채널의 전류를 엄격하게 제어할 수 있어 칩 부품의 소형화를 가능하게 하는 동시에 전력 누설을 줄일 수 있으며, 이는 칩의 밀도가 높아짐에 따라 중요한 관심사입니다.

RibbonFET은 와트당 성능, 최소 전압(Vmin) 작동 및 정전기를 개선하여 상당한 성능 이점을 제공합니다. RibbonFET은 또한 다양한 리본 폭과 다중 문턱 전압(Vt) 유형을 통해 높은 수준의 튜닝 가능성을 제공합니다.

인텔 파운드리 가속기 에코시스템 제휴

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작동 중인 인텔 18A

Clearwater Forest 서버 프로세서는 인텔 파운드리의 고급 패키징 기술과 결합된 인텔 18A의 잠재력을 보여줍니다.