세계 최고 수준의 공정 혁신

Intel은 Intel Foundry Direct Connect '24에서 다음 사항을 추가한 확장된 공정 기술 로드맵을 공개했습니다.

• 회사의 최첨단 노드 계획에 대한 Intel 14A,

• 3D 고급 패키징 설계를 위한 실리콘 관통전극(TSV)를 갖춘 Intel 3-PT를 포함한 Intel 3, Intel 18A 및 Intel 14A의 여러 특수 노드 발전 및

• UMC와의 공동 개발을 통해 새로운 12나노미터 노드를 포함한 성숙한 공정 노드가 예상됩니다.

설계 준비가 된 고객은 지금 Intel Foundry와 함께 협력을 시작할 수 있습니다.

Intel 18A: 업계 선도적인 혁신

RibbonFET 및 PowerVia 도입:

• Intel 18A는 25년 상반기에 예정된 최초의 외부 고객 테이프 아웃을 통해 전체 제품 설계를 시작하도록 준비합니다.
• 업계 최초로 후면 전력 공급 아키텍처를 구현한 PowerVia는 표준 셀 활용도를 5-10%, ISO 전력 성능을 최대 4% 향상시킵니다.¹
• Intel 파운드리의 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터를 구현한 RibbonFET는 FinFET 대비 밀도 및 성능을 향상시킵니다.
• 최적화된 리본 스택으로 우수한 와트당 성능 및 최소 공급 전압(Vmin)을 제공합니다.
• HD MIM 축전기는 유도 전력 강하를 현저하게 줄여 특히 생성형 AI와 같은 현대 워크로드를 위한 안정적인 칩 작동을 강화합니다.

자세한 내용

Intel 3: Intel 최고의 FinFET 노드

광범위한 극자외선(EUV)을 사용하는 높은 와트당 성능:

• 1.08배 향상된 칩 밀도와 18% 향상된 와트당 성능을 제공하는 인텔 4의 진화.²
• Intel 4 학습을 활용해 수율 향상을 가속화하는 동시에 밀도가 높은 라이브러리와 개선된 구동 전류, 상호 연결을 추가합니다.
• 일반적인 컴퓨팅 응용 분야에 적합합니다.

12nm: UMC와 협업하여 고객의 선택폭 확대

혁신적인 파트너십을 통한 포트폴리오 확장:

• UMC와 Intel Foundry는 12nm 기술 플랫폼을 개발하는 데 협력하고 있으며, Intel의 FinFET 전문 지식과 UMC의 로직 및 혼합 모드/RF 경험을 통합했습니다.
• 산업 12nm에 경쟁력이 있습니다.³
  
• 지리적으로 다양하고 탄력적인 공급망에 대한 액세스를 통해 고객에게 소싱 결정에 더 넓은 선택의 폭을 제공합니다.
• 모바일, 무선 연결, 네트워킹 응용 프로그램과 같이 성장 폭이 높은 시장에 적합합니다.

Intel 16: FinFET에 이상적인 게이트웨이

플래너의 유연성 있는 FinFET의 장점:

• 마스크 수는 줄고 백엔드 설계 규칙은 간단한 16nm 클래스 노드의 성능.

지금 미리 보기: Intel 14A

RibbonFET와 결합된 2세대 PowerVia

• 업계 최초의 높은 개구수(High NA) EUV.
• High NA는 비용 효율적인 확장의 기초입니다.

Intel Foundry 가속 프로그램 에코시스템 얼라이언스

EDA, IP, 설계 서비스, 클라우드 서비스, 미국 MAG 얼라이언스에 걸쳐 Intel Foundry 가속 프로그램 에코시스템 파트너의 주요 영역에 대한 포괄적인 지원을 누려보십시오.

자세한 내용

Intel Foundry를 신뢰하는 업계 리더들

고객은 Intel Foundry를 자신있게 선택하고 있습니다. 세계 최대 클라우드 서비스 공급업체 2곳은 Intel 18A 기술을 사용하는 제품을 발표했으며, 총 9곳의 Intel 18A 어워드 중 일부를 발표했습니다.

Intel Foundry를 자회사로 설립하여 고객에게 더 큰 보장과 명확한 업무 분리를 제공할 계획을 발표했습니다.

고급 패키징 및 테스트

Intel Foundry는 최첨단 상호 연결 장치, 2D, 2.5D 및 3D 패키징 분야의 리더십, 견고하고, 지리적으로 다양하며, 탄력적인 공급망을 통해 제공되는 포괄적인 조립 및 테스트 서비스를 제공합니다.

자세한 내용