DIMM(Dual In-line Memory Module) 인구 규칙에 따라 두 개 이상의 DIMM을 지원하는 채널은 파란색 DIMM 슬롯 또는 프로세서에서 가장 먼 DIMM 슬롯을 필-먼 접근 방식으로 시작하여 채워야 합니다. 또한 같은 채널에서 단일 또는 이중 순위 DIMM으로 쿼드 랭크 DIMM을 채울 때는 쿼드 랭크 DIMM이 프로세서에서 가장 멀리 채워져야 합니다. 해당 프로세서 소켓이 채워지지 않으면 지정된 프로세서와 연결된 메모리 슬롯을 사용할 수 없습니다.
DIMM 인구 요구 사항은 다음과 같습니다.
- 채널당 여러 DIMM의 경우:
- 등록된 DIMM(RDIMM), 로드 감소 DIMM(LRDIMM), 3차원 스태킹(3DS) RDIMM 또는 3DSLRDIMM의 경우 채널(파란색 슬롯)의 첫 번째 슬롯에 더 높은 전기적 로딩이 있는 DIMM을 항상 채우고 두 번째 슬롯이 뒤따릅니다.
- 채널 A 또는 D에서 하나의 DIMM만 사용하면 BLUE DIMM 슬롯에 채워져야 합니다.
- 한 채널에 최대 8개의 논리 계급을 사용할 수 있으며 채널에 로드된 최대 10개의 물리적 랭크도 사용할 수 있습니다.
- 채널 또는 소켓 내 또는 소켓 전체에서 이중 데이터 속도 유형 4(DDR4) DIMM 유형(RDIMM, LRDIMM, 3DS-RDIMM, 3DS-LRDIMM, NVDIMM)을 혼합하는 것은 지원되지 않습니다. 메모리 초기화에서 치명적인 오류 중단입니다.
- 다른 주파수와 지연 시간의 DIMM을 혼합하는 것은 프로세서 소켓 내 또는 전체에서 지원되지 않습니다. 혼합 구성이 발생하는 경우 BIOS는 가장 높은 공통 주파수와 가능한 가장 낮은 지연 시간에서 작동을 시도합니다.
- LRDIMM 순위 곱셈 모드 및 직접 맵 모드는 프로세서 소켓 내에서 또는 프로세서 소켓 간에 혼합되어서는 안 됩니다. 메모리 초기화에서 치명적인 오류 중단입니다.
- 동일한 채널에 3개의 QR LRDIM을 설치하려면 RM = 2로 순위 곱셈으로 작동해야 합니다. 이렇게 하면 각 LRDIMM이 DR DIMM으로 표시되며 순위가 두 배 더 큽니다.
- 안정성, 가용성 및 서비스 가능성(RAS) 모드 순위 절약 및 미러링은 이 BIOS에서 상호 배타적입니다. 하나의 작동 모드만 선택할 수 있으며 전체 시스템에 적용됩니다.
- RAS 모드가 구성되고 부팅 중에 메모리 개체수가 지원되지 않으면 시스템이 독립 채널 모드로 돌아가 로그 및 디스플레이 오류를 표시합니다.
- 랭크 스파링 모드는 메모리로 채워진 모든 채널이 인구 밀집된 각 채널에 최소 2개의 SR 또는 듀얼 랭크 DIMM을 설치하거나 하나 이상의 QR DIMM을 설치해야 하는 요구 사항을 충족하는 경우에만 가능합니다.
- 미러링 모드는 메모리로 채워진 모든 채널 쌍의 경우 쌍의 두 채널의 메모리 개체수가 동일한 크기여야 합니다. 페어링 명명법에 대한 자세한 내용은 인텔 제온® 프로세서 스케일러블 제품군 BIOS EPS 를 참조하십시오.
최상의 성능을 위해 DIMM은 다음 지침을 사용하여 채워져야 합니다.
- 설치된 각 프로세서는 DIMM 구성과 일치해야 합니다.
- 설치된 각 프로세서에 대해 다음 DIMM 인구 지침을 따라야 합니다.
- 1 DIMM ~ 3 DIMM 구성 – DIMM은 채널 A-C의 DIMM 슬롯 1(파란색 슬롯)으로 채워져야 합니다.
- 4 DIMM 구성 – DIMM은 채널 A, B, D 및 E의 DIMM 슬롯 1(파란색 슬롯)으로 채워져야 합니다.
- 5 DIMM 구성 – 권장되지 않습니다. 이 구성은 비균형 구성으로 최적의 성능보다 낮은 성능을 얻을 수 있습니다.
- 6 DIMM 구성 – DIMM은 모든 채널의 DIMM Slot1(파란색 슬롯)으로 채워져야 합니다.
- 7 DIMM 구성 – 권장되지 않습니다. 이 구성은 불균형한 구성으로 최적의 성능보다 낮은 성능을 얻을 수 있습니다.
- 8 DIMM 구성 – DIMM이 모든 DIMM 슬롯에 채워집니다.